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三星申请半导体器件专利

三星申请半导体器件专利

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晶合集成申请半导体器件相关专利,对互连结构表面进行平坦化
专利摘要显示,本申请公开了半导体器件的制备方法、半导体器件以及测试方法,制备方法包括:在半导体层上形成互连结构以及覆盖所述互连结构的钝化层;形成暴露所述互连结构的窗口,所述互连结构暴露出来的表面具有凸起;形成...

2024-09-20

晶合集成申请半导体器件及其版图结构专利,解决半导体器件的双峰问题
合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其...专利摘要显示,本发明提供了一种半导体器件及其版图结构,其中在所述半导体器件的版图结构中,在离子补打区在第二方向上的长度大于或者等于预设值时,将离子补打区...

2024-09-20

晶合集成申请一种半导体结构及其制作方法、半导体器件专利,可提高半导体结构的电性性能
天眼查知识产权信息显示,合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制作方法、半导体器件“,公开号CN202411110508.7,申请日期为...专利摘要显示,本发明公开了一种半导体结构及其制作方法、半导体器件,...

2024-09-20

新洁能申请“一种功率半导体器件终端保护区结构”专利,提高终端可靠性并增大器件的击穿电压窗口
金融界2024年9月18日消息,天眼查知识产权信息显示,无锡新洁能股份有限公司申请一项名为“一种功率半导体器件终端保护区结构“,公开号CN202411142537.1,申请...专利摘要显示,本发明涉及一种功率半导体器件终端保护区结构。...

2024-09-20

度亘核芯光电技术(苏州)申请半导体激光器专利,能保证半导体激光器器件的可靠性
专利摘要显示,本申请提供一种半导体激光器制备方法及半导体激光器,其中方法包括:在待工艺晶圆上制备对位标记,并基于对位标记制备脊波导;...通过刻蚀修饰消除浅腐蚀带来的蒸镀空洞问题,保证半导体激光器器件的可靠性。...

2024-09-20

上海积塔半导体申请半导体结构及其制备方法专利,提高器件性能
金融界2024年9月17日消息,天眼查 知识产权信息显示,上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法“,公开号 CN202410798765.8,申请日期为 2024 年 ...专利摘要显示,本发明提供了一种半导体结构及其制备方法。...

2024-09-20

上海积塔半导体申请背照式图像传感器专利,提高背照式图像传感器良品率和器件性能
金融界2024年9月17日消息,天眼查 知识产权信息显示,上海积塔半导体有限公司申请一项名为“背照式图像传感器的制备方法及背照式图像传感器“,公开号...专利摘要显示,本发明提供了一种背照式图像传感器的制备方法,包括如下...

2024-09-20

中芯集成申请半导体器件及其制备方法专利,提高半导体器件的可靠性
金融界 2024 年 9 月 17 日消息,天眼查知识产权信息显示,芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法“,公开号 ...专利摘要显示,本发明提供了一种半导体器件,衬底中具有漂移区,漂移区从...

2024-09-20

上海华力微申请 ESD 结构及半导体器件专利,提高芯片面积利用率
上海华力微申请 ESD 结构及半导体器件专利,提高芯片面积利用率,芯片,金属,专利,三极管,esd,nmos,半导体器件

2024-09-20

华天(昆山)申请一种半导体器件旋转式接触的ESD装置专利,提高静电防护的可靠性
金融界2024年9月17日消息,天眼查知识产权信息显示,华天科技(昆山)电子有限公司,华天科技(江苏)有限公司申请一项名为“一种半导体器件旋转式接触的...专利摘要显示,本发明公开了一种半导体器件旋转式接触的ESD装置,所述ESD...

2024-09-20

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